本发明涉及导电金属材料制备技术领域，具体涉及一种高强度高导电
铜基
复合材料的制备方法。本发明首先在沼液微生物的作用下使得稻壳表面产生多孔结构，再在铁粉的催化作用下热转化形成多孔
碳化硅晶须，接着利用在多孔碳化硅晶须的表面及微孔中附着聚多巴胺薄膜，利用聚多巴胺薄膜将铜离子螯合固着在碳化硅晶须表面和内部孔隙中，在氢气和高温的条件下先将聚多巴胺薄膜分解使得铜离子重新暴露，再用氢气将铜离子还原成单质铜，从而增加了碳化硅晶须和铜基体间的相容性并通过涡流状相互喷射碰撞而使内部钛和碳化硅发生化学反应而生成新的陶瓷增强TiC、Ti
3SiC
2、TiSi
2相，使得最终制得的铜基复合材料可以同时兼顾强度和导电性，具有广阔的应用前景。
声明：
“高强度高导电铜基复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1231
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
