本发明公开了一种提升
石墨烯片‑硅纳米线阵列
复合材料场发射性能的方法，属于
纳米材料的制备和应用领域。包括以下制备工艺：(1)金属催化腐蚀法制备硅纳米线阵列；(2)对硅纳米线进行载能银离子轰击处理；(3)利用微波等离子体增强化学气相沉积法在硅纳米线阵列上制备薄层石墨烯片；(4)利用氮、氢等离子体在室温下处理所得的石墨烯片‑硅纳米线阵列；(5)对所得氮掺杂石墨烯片‑硅纳米线阵列进行高温退火处理。与现有技术相比，本方法所制备的氮掺杂石墨烯片‑硅纳米线阵列复合材料具有工作电场低、场发射电流密度高和稳定性好等特点，有很高的应用价值。
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“提升石墨烯片-硅纳米线阵列复合材料场发射性能的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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