本发明公开了一种多孔硅基氧化钨薄膜
复合材料气敏传感器及其制备方法和应用，由多孔硅基底、Pt膜电极、多孔硅基氧化钨敏感层和其上的方形的Pt电极组成，所述的多孔硅基氧化钨敏感层由多孔硅层和恒电位
电化学沉积在其上的氧化钨(WO
3)薄膜组成。本发明通过在多孔硅基底制备欧姆接触电极，然后利用电化学法在多孔硅上原位生长WO
3颗粒薄膜的方法较为简单，所需控制的工艺条件较少，成本低廉；制备出的多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器可在室温下探测低浓度二氧化氮气体，具有灵敏度较高、响应/恢复性能较好、选择性和重复性好的特点。
声明：
“多孔硅基氧化钨薄膜复合材料气敏传感器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
824
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
