本发明公开了一种GaN微米棒阵列/
石墨烯场发射阴极
复合材料制备方法，具体步骤如下：步骤1，对硅衬底镀铂薄膜，然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理，退火结束后自然冷却到室温，得到衬底A；步骤2，将步骤1得到的衬底A与反应源一起进行热处理，衬底A与反应源之间保持一定距离，反应完成后自然冷却到室温，得到衬底B；步骤3，将步骤2得到的衬底B进行热处理，反应完成后自然降温至室温，即得GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料。通过该方法制备得到的GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料具有优良的场发射特性。
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“GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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