发明公开了一种自支撑多孔硅/ZnO
复合材料的制备方法，其制备步骤包括如下：自支撑多孔硅的制备，采用p型单晶硅的多步阳极氧化腐蚀为自支撑多孔硅；ZnO籽晶的生长，利用真空抽滤氧化
锌溶液分散于多孔硅层之间，在氩气氛围下生长为
氧化锌籽晶；复合材料的制备，水热合成法促进多孔硅层之间的氧化锌籽晶生长为纳米氧化锌层，形成一种微纳多孔硅/ZnO复合材料。本发明通过单晶硅多步阳极氧化腐蚀法，来实现多孔硅片层的生长和剥离；通过多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化，改善了多孔硅表面高电阻和高反应活性，大大提高了多孔硅的电容特性和
电化学稳定性，拓宽了多孔硅在超级电容器领域的应用前景。
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“自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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