提供一种减少陶瓷
复合材料中氧化的方法。该方法包括用第一化学气相渗入(CVI)法将第一部分
碳化硅(SIC)基体沉积(130)在至少一部分制品上,用第二CVI法将掺硅(SI)氮化硼(BN)层沉积(140)在至少一部分SIC基体内,和用第三CVI法将第二部分SIC基体沉积(150)在第一部分SIC基体的至少一部分或其延续部分内。
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“形成复合材料保护层的方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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