本发明涉及一种低成本熔硅浸渗法制备C/SiC
复合材料的方法。该方法包括步骤：将碳毡或石墨毡于400～600℃温度煅烧预处理；预处理后的碳毡或石墨毡浸入三聚氰胺和硼酸溶液中，涂覆一层氮化硼保护层；再浸入碳/
碳化硅浆料水溶液浸渗，使碳毡或石墨毡孔隙中充满碳/碳化硅，置于烧结炉中，在1600-1800℃温度下进行一次熔融渗硅处理；再浸入液体酚醛树脂中，然后在800-1000℃、惰性气氛保护下碳化处理，使树脂全部碳化，最后进行二次熔融渗硅处理，使树脂碳化产生的碳与硅全部反应生成碳化硅，得到C/SiC复合材料。所得C/SiC复合材料致密度高、气孔和游离硅的含量低，材料强度、韧性和摩擦磨损性能好，可用于制作刹车片。
声明：
“低成本熔硅浸渗法制备 C/SiC 复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
936
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
