本发明公开了一种强红外发光的Cu2O/SnO半导体
复合材料，所述复合材料是将CuO粉末与SnS粉末按照摩尔比10:1～1.2充分混合后压片，然后在氮气气氛中800～950℃下退火5～15min获得。本发明使用SnO对Cu2O进行掺杂改性，可有效提高Cu2O光电性能，所得复合材料的光致发光强度最高可达到纯CuO退火后得到的Cu2O的533倍左右，同时具有光吸收系数高、化学性质稳定、自然储量丰富、制作成本低、合成条件不苛刻和温度窗口宽等优点，很适合大规模生产使用，有望成为光电性能材料领域的新型材料。
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来源：北方有色网
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