SiQDs‑MoS2/rGO
复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及二硫化钼
石墨烯复合材料及其制备方法和应用。本发明是要解决现有的纯MoS2作为电极材料时电容量低的技术问题。本发明的SiQDs‑MoS2/rGO复合材料，是以还原氧化石墨烯为网状支撑体，以硅量子点复合二硫化钼的纳米花球为分散材料的复合体，纳米花球嵌在还原氧化石墨烯的片层间。制法：一、硅量子点的合成；二、制备氧化石墨烯分散液；三、SiQDs‑MoS2/rGO复合材料的制备。在0.5A/g的电流密度下，比电容达到924.7F/g，当电流密度升高到10A/g时，比电容仍然能够保持512.7F/g。可用作于超级电容器的电极材料。
声明：
“SiQDs-MoS2/rGO复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1084
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
