本发明公开了一种C/SiC
复合材料及其制备方法。本发明所提供的C/SiC复合材料是按照包括下述步骤的方法制备得到的：采用化学气相渗透法依次在
碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层和
碳化硅基体得到C/SiC复合材料；其中，所述碳化硅基体的沉积条件如下：以CH3SiCl3(MTS)为气源，H2为载气、Ar为稀释气体，在1100℃，50kPa的条件下沉积SiC？40小时；所述碳纤维预制体为2.5维(2.5D)碳纤维编织体。该材料的弯曲强度达到了213.8MPa，已满足结构材料对弯曲强度的基本要求；在室温到1200℃的温度区间内保持了较低的线热膨胀系数。
声明：
“C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1029
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
