多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷
复合材料的近净尺寸制备方法，它涉及复合材 料的近净尺寸制备方法。本发明解决了Si3N4在烧结过程中陶瓷坯体的收缩率 较大的问题。方法如下：制备多孔氮化硅生坯；生坯预烧结；浸渍、凝胶化、 干燥；烧结，即得多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料。本发明方法制得的多 孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料在达到力学性能要求的同时，减小了烧结时 坯体的收缩率。本发明方法工艺简单、成本低、重复性好。
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“多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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