本发明属于电池技术领域，公开了一种ZnS/SnS/三硫化二锑@C空心纳米立方体结构
复合材料及其制备方法和应用，所述复合材料是先将水、四氯化
锡、柠檬酸钠、氯化
锌、氢氧化钠混合，经水洗干燥制得H‑ZHS；将H‑ZHS超声分散于水溶液中，加入氢氧化钠或氢氧化钾进行刻蚀，加入多巴胺搅拌，经水洗干燥，所得H‑ZHS@PDA；将H‑ZHS@PDA与硫脲，在氢气氛围中在300～350℃进行硫化，冷却至室温，再将所得H‑SnS
2/ZnS@PDA、三氯化锑和无水乙醇混合在90～120℃水热反应，经水洗干燥，将所得H‑ZnS/SnS
2/Sb
2S
3@PDA在氩气氛围中，在500～530℃碳化，冷却至室温制得。
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“ZnS/SnS/三硫化二锑@C空心纳米立方体结构复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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