本发明属于电子材料技术领域，具体为一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽
复合材料及其制备方法。该复合材料包括有机硅橡胶与MXene的混合基底层和超薄导电
铜层；超薄导电铜层为铜纳米粒子构成的金属层。本发明采用热压成型、自催化化学镀等技术手段，制备出一种具有三明治结构的“(有机硅橡胶与MXene混合体)‑Cu‑(有机硅橡胶与MXene混合体)”复合材料；所制备的复合材料电气绝缘性优异且无磁性，但具有良好的太赫兹屏蔽性能；由于铜层与MXene层的协同复合作用，使得在未引入磁性金属的情况下，制备的太赫兹屏蔽复合材料在0.1‑2.2THz范围内具有超过38dB的平均屏蔽效能，而电导率低至0.7S/m。
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来源：北方有色网
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