本发明涉及一种Hf‑Ta‑C增强的C/SiC陶瓷基
复合材料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)提供碳/碳基体；(2)以硅合金为反应物，采用反应熔渗法将所述碳/碳基体制成C/SiC陶瓷基复合材料；(3)以铪钽前驱体溶液作为反应物，采用浸渍裂解法与所述C/SiC陶瓷基复合材料反应，制得所述Hf‑Ta‑C增强的C/SiC陶瓷基复合材料。该制备方法充分发挥反应熔渗法高效率优势，并借助于浸渍裂解法，进一步降低孔隙率和复合材料的抗烧蚀性能，从而有效解决了C/SiC陶瓷基复合材料孔隙较多而导致抗烧蚀性能较差的问题。
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“Hf-Ta-C增强的C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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