本发明涉及一种纳米
碳化硅/P型硅锗合金基热电
复合材料及其制备方法，所述热电复合材料由P型硅锗合金和均匀分散在P型硅锗合金的晶界上和/或晶粒内部的纳米碳化硅颗粒两相组成，所述P型硅锗合金化学式为Si80Ge20Bx，其中x的取值范围为0.2 ≤ x ≤ 2.0，所述纳米碳化硅颗粒的体积百分含量为P型硅锗合金的0.3～2.0%。本发明采用上述方法将纳米碳化硅与P型硅锗合金进行复合，制备的热电复合材料在保持功率因子变化不大的前提下，可显著降低材料的晶格热导率，进而在整个温区范围内提高材料的热电性能。此外，本发明提供的制备方法简单、快速、原料利用率高，具有良好的产业化前景。
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“纳米碳化硅/P型硅锗合金基热电复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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