本发明公开了一种g‑C3N4包覆NiCo2O4纳米
复合材料及其制法，首先是将NiCo2O4生长在集流体上，然后将g‑C3N4生长在所述NiCo2O4的表面，形成对NiCo2O4的包覆，从而得到g‑C3N4包覆NiCo2O4复合材料，本发明创造性的利用g‑C3N4在超级电容器中的N型“空穴”缺陷，能够非常牢固的包覆在NiCo2O4上形成包覆膜，最终得到核壳结构的g‑C3N4包覆NiCo2O4复合材料，且本发明将g‑C3N4包覆NiCo2O4能充分利用g‑C3N4表面官能团能提供丰富的活性位点，使得到的复合材料具有优异的性能，且g‑C3N4具有二维层状材料独特的机械强度能提高材料整体的循环稳定性。
声明：
“g-C3N4包覆NiCo2O4复合材料、制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
958
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
