聚偏氟乙烯基
复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有在低体积浓度(≤10％)陶瓷类填料下聚偏氟乙烯基复合材料介电常数不高的技术问题。本方法如下：一、晶化处理；二、施镀；三、熔融共混；四、磁化处理。本发明选用负载Ni壳的钛酸
铜钙为填料，以PVDF为基体，在低体积浓度(≤10％)填加量下采用熔融共混-热压成型工艺，结合磁化处理手段，制备得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni复合材料，其介电常数高达12000～18000，并且该材料能保持聚合物基体所具有的优良机械性能。本发明属于复合材料的制备领域。
声明：
“聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1158
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
