本发明提供一种基于
石墨烯复合材料/氮化硅/硅
芯片多层结构的散热系统及构建方法，属于微电子器件的散热技术。该散热架构包括硅基发热器件，Si3N4绝缘层，石墨烯复合材料热沉和基板。其中通过化学气相沉积法在硅片背面沉积一层致密的Si3N4绝缘层，通过化学键将石墨烯复合材料与Si3N4绝缘层互连，最后将上述带有散热架构的硅片与基板相连并封装成器件。本发明利用了化学键将硅基发热器件，热界面材料，热沉互连，极大减少各器件层间距，避免层间微空隙所引起的热阻，促进声子传热，进而提高了整体散热系统的散热能力，使得芯片能够在恶劣的高温环境下工作。且封装后，整体系统更轻更薄，符合当代半导体器件的发展趋势。
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“石墨烯复合材料/氮化硅/硅芯片高效散热系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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