本发明公开了一种用于填充垂直硅通孔TSV的
复合材料及其填充方法，其中该复合材料主要由金刚石和
铜组成，金刚石的直径小于1um,该金刚石为单晶金刚石或掺硼金刚石；填充方法是预先在TSV通孔内溅射粘附层、阻挡层、种子层，通过复合电沉积方法沉积复合材料，再通过通电使金属铜原子顺着电流方向附着沉积至填满TSV孔，从而在硅圆片上形成完整填充的复合材料层。本发明通过对该复合材料关键的内部组成及结构，相应填充方法关键的整体工艺流程设计、以及各个步骤的条件及参数进行改进，以特定的复合材料作为通孔填充材料，并且利用特定的填充方法，可提高TSV的可靠性并有效降低其失效率，有效避免填充缺陷。
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“用于填充垂直硅通孔TSV的复合材料及其填充方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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