本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiC
f/SiC
复合材料制备方法，包括以下步骤：采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积，以丙烯为碳源气体、以三氯甲基
硅烷为
碳化硅源气体进行共沉积；载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气；利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积，碳化硅源气体为三氯甲基硅烷，载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiC
f/SiC复合材料，在纤维与基体之间为PyC‑SiC复相界面，PyC‑SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法，主要包括利用CVI共沉积制备PyC‑SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤，界面制备更容易控制且制备效率也更高；所制备的SiC
f/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。
声明：
“含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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