本发明公开了一种碳包覆氧化亚硅/g‑C
3N
4复合材料，其原料包括：碳包覆氧化亚硅和g‑C
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4，其中，在所述复合材料中，氧化亚硅的含量为50‑85％，g‑C
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4的含量为10‑45％，余量为包覆碳；氧化亚硅、g‑C
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4和包覆碳的含量总和为100％。本发明还公开了上述碳包覆氧化亚硅/g‑C
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4复合材料的制备方法。本发明还公开了上述碳包覆氧化亚硅/g‑C
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4复合材料在
锂离子电池
负极材料中的应用。本发明可以显著提高氧化亚硅的离子电导率和电子电导率，同时可以缓冲氧化亚硅在脱嵌锂过程中的体积变化，降低体积膨胀，提高容量保持率及循环性能。
声明：
“碳包覆氧化亚硅/g-C3N4复合材料及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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