本发明提供了一种制备三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法及其产品，其包括步骤：利用微纳加工技术对
半导体材料进行表面处理和制备模型结构；对制备好的三维结构利用微纳加工技术进行栅介质层沉积；悬空环栅电极和悬空漏电极加工；利用聚焦离子束实现三维空间的电极互联。本发明是一种以三维结构为载体，利用各种微纳加工技术制备三维悬空环栅MOSFET的新方法。该方法具有工艺灵活、可控性好、方法新颖等特点，所制备的器件具有各向同性调控源漏之间的场效应，优秀的栅极控制，具有更小的漏端寄生电容，减少漏端电场扩散，提高器件集成密度等特点。
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来源：北方有色网
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