本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成叠层结构，于叠层结构中形成沟道孔及栅极隔槽，于半导体衬底内形成源极区域；于栅极隔槽的内壁上形成外层及内芯。本发明将所述栅极隔槽填充为至少包括外层和内芯的结构，可以通过内芯的填充实现器件整体应力、电阻、漏电等情况的改善，在栅极隔槽中制备栅极隔槽腔，缓解器件结构的应力，可以减小器件电阻；将三维存储器的栅极隔槽制备成包括至少两个子栅极隔槽上下连通设置的结构，单个子栅极隔槽的制备易于控制，可以减小其关键尺寸，增加沟道孔与栅极隔槽之间的距离，可以增加后续栅极层的长度，减小栅极层的电阻，提高器件速度，优化器件性能。
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来源：北方有色网
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