本发明涉及一种基于晶体管和忆阻器的模拟联想学习电路及控制方法，nMOS管、忆阻器、定值电阻进行串联，nMOS管的漏极连接忆阻器的顶电极，忆阻器的底电极连接定值电阻的一端，定值电阻另一端接入地，反向器接在nMOS管的栅极与源极之间，示波器与定值电阻并联，模拟食物刺激信号输入端和模拟铃声刺激信号输入端均与反相器、nMOS管连接；nMOS管栅极为控制信号输入端；本发明通过电压脉冲叠加来获得忆阻器在高电阻状态和低电阻状态之间的转换，并通过检测输出电平来确定是否发生了联合学习；不仅模拟联想学习实验中的学习，记忆和退灭这三个经典过程，还模拟了条件刺激和非条件刺激之间的时间间隔对记忆时间的影响。
声明：
“基于晶体管和忆阻器的模拟联想学习电路及控制方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1239
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
