本发明公开了一种宽量程隧道磁电阻传感器，依次由反铁磁层、铁磁钉扎层、势垒绝缘层、铁磁自由层和非磁金属层叠加组成，利用电流在具有高自旋轨道力矩效应的
功能材料(W,Ta，Pt，CuBi等)电极层中产生自旋流，注入到磁隧道结中的自由层中对其产生偏置磁场，从而改变TMR磁阻传感器的工作范围，由于这类偏置磁场的大小和方向可以方便地通过外加电流的大小和方向进行精确控制，所以TMR磁阻传感器的工作范围也可以根据实际需求进行实时的调节，解决TMR磁阻传感器工作范围小的问题。
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“宽量程隧道磁电阻传感器及惠斯通半桥” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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