一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg
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2薄膜，最后在Mg
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2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg
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2保护层，从而得到基于Mg
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2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg
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2在光电
功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg
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2薄膜的水解，提高了Mg
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2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg
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2光电器件理想的光学窗口。
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“基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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