本发明属
功能材料制备技术领域，涉及一种窄带隙二氧化
锡半导体
纳米材料的制备方法，向草酸水溶液中滴加氯化亚锡的甲醇溶液，在恒温并且搅拌的条件下反应直到前驱物沉淀生成，过滤、水洗、干燥，然后在马弗炉进行热处理即获得窄带隙二氧化锡半导体纳米材料。本发明工艺简便易行，纯度高，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异，可以工业化批量生产。本发明制备的目的产物窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的禁带宽度为2.4～2.6 eV，具有良好的导电、隔热、透明，以及光催化等性能。
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“窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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