石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法，涉及光催化
功能材料制备方法，本发明以三元硫化物ZnIn
2S
4为参照，将Ag
+、
锌源、铟源、硫源和氧化态石墨烯按照一定的摩尔比在水热条件下反应，并获得目标光催化剂。这种新型的可见光光催化剂结构清晰，组成明确，通过Ag
+的掺杂可以显著增强ZnIn
2S
4的可见光光谱响应范围，与石墨烯复合后可以使光生载流子的扩散范围增大，抑制光生电子‑空穴对的重组从而增强可见光催化活性，是一种有前途的可见光光催化材料。
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来源：北方有色网
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