本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法，属于电子信息
功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法：采用n型的Si(100)衬底，将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后，采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理，首先制备a轴取向AlN缓冲层，然后在此基础上择优取向生长AlN薄膜，由于二者晶格匹配度高，从而改善了AlN薄膜的生长质量，降低其表面粗糙度，进而有利于提高AlN薄膜的压电效应并降低声表面波的传播损耗；本发明制备过程中操作简单易行，环保节能，原材料供应充足且价格低廉，批量化生产工艺可调控，便于批量生产及应用推广，适合于制作现代通信技术中高性能通信元器件。
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来源：北方有色网
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