本发明属于半导体
功能材料的制备技术领域，公开了一种超低温制备二氧化
锡晶体的方法，通过螯合的方式改变SnO2合成机理及路线，在超低的温度范围内，得到粒径可调控的SnO2晶体纳米颗粒。本发明方法所制备的SnO2具有高结晶性，且颗粒大小可调，并将其应用于n‑i‑p
钙钛矿太阳能电池中。与现有技术相比，本发明具有原材料来源广泛，无毒无害，成本低，稳定性好；无需复杂工艺，操作简单，能耗较低，适用于柔性基底等优点。
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“超低温制备二氧化锡晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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