本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属 于微电子信息
功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液 浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫 外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在 550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜， 具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点， 可与现有的Si半导体工艺兼容。
声明：
“铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1202
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
