本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属 于微电子信息
功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液 浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫 外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在 550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜， 具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点， 可与现有的Si半导体工艺兼容。
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来源：北方有色网
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