本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有
功能材料叠层和离子注入掩膜层；以所述离子注入掩膜层为掩膜对所述功能材料叠层进行离子注入；去除所述离子注入掩膜层；对所述功能材料叠层的表面进行清洗，所述清洗方法包括氨溶液‑过氧化氢溶液混合液的热清洗步骤、稀释HF的清洗步骤和O3清洗步骤。通过所述方法可以完全去除所述功能材料叠层上存在的残留物，解决目前工艺中的隆起缺陷(worse bump defect)。
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来源：北方有色网
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