本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的
功能材料层，以形成台阶形结构，在所述基底上和所述功能材料层的侧壁上形成有顶角变圆的缓冲层；步骤S2：在所述缓冲层和所述功能材料层上形成覆盖层，以覆盖所述功能材料层；步骤S3：在所述覆盖层上交替地形成第一金属层和第二金属层，以形成至少包含4层的金属叠层结构。本发明所述方法具有如下的优点：1)通过添加氧化物OX获得圆化顶角(corner rounding)效果的同时减小上层金属膜的应力，解决了缝隙孔洞(seam void)的问题；2)由于对应力有所改变，也降低了后续可能造成的分层问题；3)对于后续制程没有带来其他的副作用。
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来源：北方有色网
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