本发明提供了一种铬基
铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子学材料制备技术领域，本发明所述的制备方法首先采用真空封管工艺，在正的X蒸气压下合成CuCr2X4粉末材料，将获得的粉末材料与适量X粉末混合后低温氩气气氛烧结，制成富X的CuCr2X4靶材；进而采用激光脉冲沉积技术，以高能脉冲激光轰击富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中产生一定的X蒸气分压，促使CuCr2X4薄膜在高温衬底上成为尖晶石相，以实现铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的稳定制备。本发明制备的铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料结晶度高，在室温下(300K)具有铁磁性，饱和磁化强度为150‑250emu/cm3，尺寸满足自旋电子器件需求。
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来源：北方有色网
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