本发明所述锆及锆合金氢化工艺优化的方法，工艺步骤依次如下：(1)真空活化，将锆或锆合金置于真空烧结炉中，控制炉内真空度≤1.0×10‑2Pa后升温，当炉内温度升至150～350℃时保温30～90min，升温和保温过程中均保持炉内真空度≤1.0×10‑2Pa；(2)氢化，真空活化后，向真空烧结炉内通入高纯氢气进行氢化处理，所述氢气的纯度≥99.999％。该方法中的真空活化步骤不仅可破坏锆或锆合金表面的致密氧化膜，使氢化过程中氢气的渗透阻力降低，吸氢点提前，从而降低锆或锆合金的氢化温度，缩短氢化保温时间，使氢化锆的氢含量大幅提高并接近理论值，而且使氧含量得到有效控制。
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