本发明属于覆晶封装技术领域，尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块，包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的
锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个，厚度为0.02～0.2mm，锡铅凸块为100～200个，凸块间距为100～200μm；锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡
铅合金，锡铅球本体的高度为50～80μm。本发明具有的有益效果为：晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率高，凸块间距较稳定地控制于150μm以下，精度高，能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
声明：
“电铸晶圆凸块” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1066
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
