本发明属于覆晶封装技术领域，尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块，包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的
锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个，厚度为0.02～0.2mm，锡铅凸块为100～200个，凸块间距为100～200μm；锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡
铅合金，锡铅球本体的高度为50～80μm。本发明具有的有益效果为：晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率高，凸块间距较稳定地控制于150μm以下，精度高，能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
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来源：北方有色网
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