本发明属于高
新材料制备领域,具体公开一种MoSi2/Mo复合粉体及Mo-Si-B
复合材料的制备方法。(1)根据所要求包裹层Mo的厚度,选定合适粒度的待处理粉体MoSi2,其原则为粉体MoSi2的粒度为包裹层Mo厚度的3~5倍,粒度和厚度单位均为微米;(2)真空处理粉体MoSi2:真空度为10-2~10-4Pa,处理温度为1400~1600℃,处理时间由公式h=Kt1/2确定,其中h--包裹层Mo厚度,单位为微米,K--与材料性质、处理温度有关的常数,t为处理时间,单位为小时;(3)将处理过的粉体,通过
粉末冶金的方法制备Mo-Si-B复合材料。本发明方法可以实现复合材料中第二相含量的控制,避免复合材料中第二相的偏析,可以实现复合材料组织结构的最优化,从而来改善复合材料的综合性能。
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“MoSi2/Mo复合粉体及Mo-Si-B复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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