本发明一种去除
多晶硅中杂质磷的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷去除的方法及装置。该方法中采用双电子束,用旋转水冷
铜坩埚的方式使电子束可以充分对多晶硅进行熔炼,可以在熔炼过程中加料实现连续作业,去除多晶硅中杂质磷。将多晶硅料装入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖;然后抽真空,给左、右电子枪预热。所用的装置由真空装置盖与真空圆桶构成装置外壳,真空圆桶内腔即为真空室。多晶硅中有害的杂质磷用电子束熔炼去除,充分完全,有效提高了多晶硅的纯度,实现连续作业。方法效率高、装置简单、节约能源。
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“去除多晶硅中杂质磷的方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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