权利要求
1.一种屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、采用湿化学法制备高熵氧化物粉末;
S2、将高熵氧化物粉末和碳化钨粉末混合均匀,得到混合物;
所述混合物中,高熵氧化物粉末的质量份数为10~30份,碳化钨粉末的质量份数为70~90份;
S3、将所述混合物进行放电等离子体烧结,得到屏蔽复合材料,该屏蔽复合材料为碳化钨-高熵氧化物复合材料。
2.根据权利要求1所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,所述屏蔽复合材料的碳化钨晶粒尺寸≤0.8μm。
3.根据权利要求1所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,所述屏蔽复合材料的抗折强度≥1000MPa。
4.根据权利要求1-3任一项所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,所述高熵氧化物粉末的金属元素包括Co、Ni、Mg、Zn、Cu、Al、Fe、Cr、V、Ti以及Nb中至少五种。
5.根据权利要求4所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,所述高熵氧化物粉末的金属元素包括Co、Ni、Mg、Zn和Cu。
6.根据权利要求5所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,步骤S1包括:
S1.1、将CoSO4·7H2O、NiSO4·6H2O、MgSO4、ZnSO4·7H2O、CuSO4·5H2O按设定比例加入去离子水中,搅拌至全部溶解,得到金属硫酸盐混合溶液;
S1.2、将NaOH溶液加入金属硫酸盐混合溶液中,置于50℃~80℃温度下持续加热3~6小时;
S1.3、将加热后的金属硫酸盐混合溶液进行离心处理,洗涤后获得沉淀物;
S1.4、将沉淀物置于110℃~130℃温度下烘烤24~48小时,烘干后的粉体置于800℃~1000℃温度下保温1~3小时,随后使用风冷淬火,得到高熵氧化物粉末。
7.根据权利要求1-3任一项所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述碳化钨粉末的中位粒径为0.5μm。
8.根据权利要求1-3任一项所述的屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中,将所述高熵氧化物粉末和碳化钨粉末在高能球磨仪中进行湿法混合,确保均匀分散形成混合粉末,随后将混合粉末干
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