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铜互联结构的形成方法

212 编辑：中冶有色网来源：重庆芯联微电子有限公司

2025-11-03 14:47:46

权利要求 1.一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，包括：步骤S1:提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有通孔以及沟槽; 步骤S2:沉积第一铜金属层，所述第一铜金属层覆盖所述半导体衬底表面并沉积在所述沟槽以及所述通孔内; 步骤S3:在所述第一铜金属层上沉积铜掺镧合金层，所述沟槽内的铜掺镧合金层不超过所述沟槽表面; 步骤S4:在所述铜掺镧合金层上沉积第二铜金属层; 步骤S5:对所述半导体衬底进行热退火处理。 2.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述铜掺镧合金组成按质量百分比为：铜99.85%-99.95%，镧系稀土金属0.05%-0.15%; 所述镧系稀土金属中镧金属的质量百分比为80%-85%。 3.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，在进行步骤S2之前，先沉积一层屏障层; 所述屏障层为氮化钽层或钽层。 4.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述热退火处理中的保温时间为60min。 5.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，通过电化学镀工艺沉积第一铜金属层以及铜掺镧合金层上的第二铜金属层。 6.根据权利要求5所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，先通过物理气相沉积工艺沉积铜种子层，再进行电化学镀工艺沉积所述第一铜金属层和/或所述第二铜金属层。 7.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，通过物理气相沉积工艺在第一铜金属层上沉积所述铜掺镧合金层。 8.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述通孔的高度与所述沟槽的深度的比为1:1。 9.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述第一铜金属层、铜掺镧合金层以及第二铜金属层的厚度比为1:2:1。 10.根据权利要求1所述的一种铜互联结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：步骤S6:通过化学机械抛光工艺对所述半导体衬底进行抛光研磨。说明书技术领域 [0001]本发明属

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