脉冲激光分子束外延系统
(PLD MBE)
PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统（PLD MBE）凭借其优异性能，在国内外拥有众多用户，广泛应用于薄膜外延制备。作为美国主要制造商，PVD专注于设计和制造超高真空薄膜沉积系统，涵盖分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积等领域。其产品主要面向小型研发系统，适用于多种材料的外延生长，如
半导体材料、ZnO、GaN、SiGe、金属/氧化物、磁性薄膜、超导薄膜、氧化物和陶瓷材料等。系统配置包括主腔室、样品传输腔、1100度加热系统、样品旋转、PLD靶材操控器及光路、K-cell热蒸发源、电子束蒸发源和射频RF离子源等，可满足多种薄膜制备需求。
凭借着优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。
PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：
用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；
UHV磁控溅射磁性薄膜；
脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。
仪器主要配置：
主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源。
应用主要包括：
分子束外延系统（MBE）；
GaAs、InP和GaSb外延；
HgCdTe外延；
GaN、InN和AlN外延；
Ⅱ-Ⅵ族外延；
SiGe外延；
Si/金属/氧化物外延；
超高真空物理气相沉积（PVD）系统；
磁控溅射系统；
脉冲激光沉积（PLD）系统；
电子束蒸发系统；
离子束沉积系统；
热蒸发系统。
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