本发明公开了一种基于键合引线退化的IGBT模块可靠性评估方法及装置，属于IGBT可靠性评估领域，其中，方法的实现包括：获取IGBT
芯片导通压降U
ces与工作电流I
c和芯片结温T
c之间的关系；对待测IGBT，通过工作电流I
c和芯片结温T
c，得到IGBT芯片的导通压降U
ces‑c；使用电压表测取IGBT模块外部导通压降U
ces‑m；相减得到芯片与键合引线连接处电压降，结合工作电流得到连接处电阻；当连接处电阻增大到IGBT等效阻抗的5％时，认为IGBT失效。本发明能更准确的表征IGBT的失效特征，使IGBT可靠性评估具有更高的准确性。
声明：
“基于键合引线退化的IGBT模块可靠性评估方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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