本申请公开了一种MOS器件的测试方法、装置、系统、设备和存储介质，该方法包括：获取测试器件的漏极电流，该漏极电流是向测试器件施加栅极电压时测量得到的；根据栅极电压和漏极电流计算得到测试器件的阈值电压的测量值；获取晶圆所在环境的环境温度；调用预测模型对栅极电压、栅极电压对应的漏极电流和环境温度进行处理，得到测试器件的阈值电压的预测值，预测模型是根据测试组训练得到的机器学习模型，测试组是对样本器件进行测试得到的数据，测试组包括量测数据和样本器件对应的阈值电压，量测数据包括施加于样本器件的栅极电压、样本器件的栅极电压对应的漏极电流以及样本器件所在环境的环境温度；根据测量值和预测值确定测试器件是否失效。
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“MOS器件的测试方法、装置、系统、设备和存储介质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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