本发明提供了一种半导体测试结构及其形成方法、半导体器件的测试方法，所述半导体测试结构包括：至少一个半导体器件、至少两个测试端、至少四个单向导通结构；其中，半导体器件形成在衬底；一个半导体器件连接有两个测试端；一个测试端和一个半导体器件之间并联连接有两个单向导通结构，所述两个单向导通结构的导通方向相反。采用本发明提供的半导体测试结构对半导体器件进行测试时，可以定位出异常位置，从而能够仅对异常位置进行失效分析，避免了由于盲目全面的失效分析，而浪费失效分析的机台资源以及人力资源的情况发生，提高了效率，降低了成本。
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来源：北方有色网
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