本发明提供一种基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置，包括依次连接的负偏压电荷泵电路、参数监测电路、信号处理电路以及信号锁存输出电路，负荷电荷泵电路输出-VDD到0V连续可调的负偏压至参数监测电路，参数监测电路将-VDD到0V连续可调的负偏压施加至待失效预警PMOS管，施加VDD电压至标准PMOS管，待失效预警PMOS管加速退化，输出两者阈值电压至信号处理电路，信号处理电路对两个阈值电压进行处理生成模拟信号输出至信号锁存输出电路，信号锁存输出电路将模拟信号与第一参考电压比较，生成预警信号，实现对失效预警PMOS管的参数退化失效预警，确保高性能集成电路的稳定性。
声明：
“基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1095
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
