本发明公开了一种功率半导体
芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法，属于电力电子器件技术领域。本发明设计了一种新型的功率半导体芯片并联结构，包括功率漏极端口、功率源极端口、辅助源极端口、栅极端口和若干个并联的功率半导体芯片，基于对并联功率半导体芯片的源极至辅助源极过流失效现象的分析，在辅助源极和芯片源极间加入了呈正温度特性的热敏元件，在正常运行过程中可充当驱动回路电阻，不影响运行；在并联结构老化或故障状态下，失衡电流流经热敏电阻，使其升温以及阻值增大，抑制芯片驱动回路上失衡电流的幅值，避免驱动回路过流失效，提高了功率半导体模块的使用寿命和运行可靠性。
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来源：北方有色网
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