本发明公开一种动态估计缺陷所造成记忆体特征失效的方法,包括:(1)建立设计版图图形失效和记忆体特征失效相对应的数据库;(2)判断生产线缺陷所造成的版图图形失效;(3)判断图形失效特征相对应的记忆体特征失效;(4)判断整个记忆体
芯片是否成品。本发明利用记忆体设计版图和生产线上缺陷检测结果相结合来动态地预估落在记忆体内部的生产缺陷所造成的特征失效的方法,结合可用的修复资源做来初步判断该记忆体成品与否。本发明方法可以对缺陷进行动态即时的分析以及在电学测量之前估计成品与否,可用于集成电路制造时动态地预估记忆体生产线上检测到的缺陷所造成的记忆体特征失效。
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来源：北方有色网
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