本发明涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统，通过对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。在此方案中，所述测量数据为对SRAM进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据，所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的SRAM器件失效率的准确度，从而实现SRAM器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价，解决我国目前SRAM器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。
声明：
“大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1234
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
