本发明公开了一种半导体失效分析的分析结构和方法。所述结构包括:多个分析场,设置于半导体器件的预定的区域上;半导体晶体管,设置于每个所述分析场中,所述半导体晶体管设置为阵列;字线,设置于所述多个分析场的每个上,在第一方向将所述半导体晶体管彼此连接;和位线结构,在所述多个分析场的每个上,在第二方向将所述半导体晶体管彼此连接,其中,所述位线结构在所述多个分析场的每个中配置为不同的图案。
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来源：北方有色网
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