本发明公开了一种覆晶
芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法，所述制备方法包括：提供待测的覆晶芯片，包括封装基底与制备于封装基底上的裸片，裸片的外部覆盖有塑封体，裸片与封装基底之间连接有金凸块，封装基底的底部焊接有
锡球；研磨裸片外部的塑封体直至裸露出裸片的晶背；将裸片的背面结合到一玻璃基板上，玻璃基板上设有导电片；用封装绑线将玻璃基板上的导电片与封装基底底部的锡球电性连接，以得到检测样品。本发明覆晶芯片失效
分析检测样品的制备方法，通过研磨掉裸片的背面的塑封体，再将裸片的背面结合在玻璃基板上进行失效分析，不必腐蚀塑封体以及分离封装基底与裸片，从而避免了取裸片的过程中金凸块被腐蚀的可能性。
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“覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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